本发明非晶硅光电池片及其制造法，特别涉及一种外联式集成小型片光电池及应用激光技术的制造方法.其产品特征在于光电池片的每个单元电池的透明导电腕图形是相同的.目的在于使用激光法制取透明导电膜集成图形.其方法特征在于将先进的激光切割技术应用于透明导电膜和非晶硅层集成图形加工以代替工艺复杂的光刻法和掩膜法.
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该研究是改变硅表面微结构， 优化硅材料特性的一种新方法， 并扩展了大功率激光刻蚀在表面微加工领域的应用．
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报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用, 设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4 mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,电池面积为4 cm2 )的太阳电池。
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